接近開(kāi)關(guān)QR-Q10021015渦電流的方式以無(wú)需接觸檢測(cè)對(duì)象進(jìn)行檢測(cè)為目的的傳感器能檢測(cè)對(duì)象的移動(dòng)信息和存在信息轉(zhuǎn)換為電氣信號(hào)。在換為電氣信號(hào)的檢測(cè)方式中，包括利用電磁感應(yīng)引起的檢測(cè)對(duì)象的金屬體中產(chǎn)生的渦電流的方式、捕測(cè)體的接近引起的電氣信號(hào)的容量變化的方式、利石和引導(dǎo)開(kāi)關(guān)的方式。電壓范圍寬,重復(fù)精度高,頻率響應(yīng)快,抗干擾性強(qiáng),使用壽命長(zhǎng)。開(kāi)關(guān)內(nèi)腔充以樹(shù)脂其全封閉,具有耐振動(dòng)、耐腐蝕、防水、防油等特點(diǎn)。
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不受檢測(cè)物體顏色的影響對(duì)檢測(cè)對(duì)象的物理性質(zhì)變化進(jìn)行檢測(cè)，所以幾乎不受表面顏色等的影響。
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接近開(kāi)關(guān)QR-Q10021015與接觸式不同，不會(huì)受周?chē)鷾囟鹊挠绊?、周?chē)矬w、同類傳感器的影響包括感應(yīng)型、靜電容量型在內(nèi)，傳感器之間相互影響。因此，對(duì)于傳感器的設(shè)置，需要考慮相互干擾此外，在感應(yīng)型中，需要考慮周?chē)饘俚挠绊?，而在靜電容量型中則需考慮周?chē)矬w的影響。
接近傳感器術(shù)語(yǔ)解說(shuō)
**檢測(cè)物體 作為測(cè)定基本性能的檢測(cè)物體，其材料、形狀、尺寸等都有規(guī)定。 
檢測(cè)距離 用指定的方法移動(dòng)**檢測(cè)物體，由基準(zhǔn)位置（基準(zhǔn)面）測(cè)出的至動(dòng)作（復(fù)位）為止的距離。
設(shè)定距離 包括溫度、電壓的影響在內(nèi)，可穩(wěn)定使用的檢測(cè)面與（**）檢測(cè)物體通過(guò)位置間為止的間隔。通常是（額定）檢測(cè)距離的約70～80％。 
差動(dòng)（差動(dòng)的距離） **檢測(cè)物體與傳感器的距離中，傳感器「動(dòng)作」時(shí)與「復(fù)位」時(shí)之間的距離差。 
響應(yīng)時(shí)間
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t1:**檢測(cè)物體進(jìn)入傳感器的動(dòng)作區(qū)域，傳感器從處于「動(dòng)作」?fàn)顟B(tài)到輸出為ON的時(shí)間。
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t2:**檢測(cè)物體離開(kāi)傳感器的動(dòng)作區(qū)域，傳感器的輸出至OFF的時(shí)間。
響應(yīng)頻率
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反復(fù)接近**檢測(cè)物體時(shí)，每秒鐘檢測(cè)隨之產(chǎn)生的輸出的次數(shù)。
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測(cè)定方法請(qǐng)參見(jiàn)附圖。
屏蔽
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該型號(hào)磁通集中在傳感器的前部，檢測(cè)線圈的側(cè)面用金屬覆蓋。
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作為傳感器的安裝方法，可埋入金屬中。
非屏蔽
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該型號(hào)磁通廣泛發(fā)生在傳感器的前部，檢測(cè)線圈的側(cè)面未被金屬覆蓋。
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由于易受周?chē)饘伲ù判泽w）的影響，所以在選擇安裝場(chǎng)所時(shí)需多加注意。
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檢測(cè)距離的表示方法
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在測(cè)定接近傳感器的檢測(cè)距離時(shí)，基準(zhǔn)位置的獲取方式和檢測(cè)物體的接近方向規(guī)定如下。
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圓柱型?角柱型
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凹槽型
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垂直檢測(cè)距離
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水平檢測(cè)距離 檢測(cè)區(qū)域圖
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使**檢測(cè)物體接近基準(zhǔn)軸方向（垂直于檢測(cè)面），由基準(zhǔn)面測(cè)得的距離為垂直檢測(cè)距離。
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將**檢測(cè)物體與基準(zhǔn)面（檢測(cè)面）作平行移動(dòng)，由基準(zhǔn)軸測(cè)得的距離為水平檢測(cè)距離。該距離隨通過(guò)位置（從基準(zhǔn)面開(kāi)始的距離）而變，可用于表示動(dòng)作點(diǎn)軌跡。（檢測(cè)區(qū)域圖）
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凹槽型多采用在檢測(cè)部的凹槽中通過(guò)薄金屬板的方法，可如圖由基準(zhǔn)面測(cè)定插入距離。
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輸出形態(tài)
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NPN晶體管輸出
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PNP晶體管輸出
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無(wú)極性?無(wú)接點(diǎn)輸出
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用一般的晶體管，可直接連接在可編程顯示器控制器及計(jì)數(shù)器上。
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主要是組裝在出口歐洲等的機(jī)械上。
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用于交流2線式、交流?直流兩用型中，無(wú)需擔(dān)心極性出錯(cuò)。
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輸出形態(tài)
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NO（正常開(kāi)）型
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NC（正常關(guān)閉）型
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NO/NC切換型
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NO
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NC
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NO/NC切換型
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在檢測(cè)區(qū)域中有檢測(cè)物體時(shí)，輸出開(kāi)關(guān)元件將處于ON。
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檢測(cè)區(qū)域中無(wú)檢測(cè)物體時(shí)，輸出開(kāi)關(guān)元件將處于ON。
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通過(guò)切換開(kāi)關(guān)等，可對(duì)輸出開(kāi)關(guān)元件的NO、NC動(dòng)作進(jìn)行選擇的方式。
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特性數(shù)據(jù)的讀法
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檢測(cè)區(qū)域
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檢測(cè)距離?顯示特性
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參見(jiàn)術(shù)語(yǔ)解說(shuō)（→術(shù)語(yǔ)解說(shuō)頁(yè)）
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參見(jiàn)術(shù)語(yǔ)解說(shuō)（→術(shù)語(yǔ)解說(shuō)頁(yè)）
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使用注意事項(xiàng)（→檢測(cè)物體的材料頁(yè)）
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E2E-X□E□/-X□Y□/-X□F1
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E2C-EDR6-F
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E2E-X3D□/-X3T1
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相對(duì)于接近傳感器，將檢測(cè)對(duì)象與檢測(cè)面平行移動(dòng)時(shí)的特性圖。
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定位等應(yīng)用程序運(yùn)行時(shí)，請(qǐng)參見(jiàn)該特性圖。需要高精度定位時(shí)，請(qǐng)使用放大器分離型接近開(kāi)關(guān)
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用于放大器分離接近的表現(xiàn)。在規(guī)定的距離條件下設(shè)定FP（Fine PosiTIoning）時(shí)的值。在任意距離條件下，E2C-EDA中可將數(shù)字值1500作為**進(jìn)行設(shè)定。
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上述圖表中，是在0.3、0.6、0.9的3點(diǎn)上實(shí)施FP時(shí)的數(shù)值示例。
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橫軸上作為檢測(cè)體的大小表示，而縱軸上作為檢測(cè)距離表示。表示檢測(cè)對(duì)象的大小和材料引起的傳感器檢測(cè)距離的變化。使用同樣的傳感器檢測(cè)各種檢測(cè)體時(shí)，及確認(rèn)檢測(cè)余度等時(shí)，請(qǐng)參考該數(shù)據(jù)。
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漏電流特性
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殘留電壓特性
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使用注意事項(xiàng)（→消耗（漏電）電流影響的對(duì)策方法（例）頁(yè)）
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使用注意事項(xiàng)（→1338頁(yè)）
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接觸式限位開(kāi)關(guān)等在物理上將接點(diǎn)放在右側(cè)，與限位開(kāi)關(guān)等不同，2線式的接近開(kāi)關(guān)為了通過(guò)晶體管等構(gòu)成電氣性開(kāi)關(guān)而發(fā)生的現(xiàn)象。表示輸出部的晶體管所產(chǎn)生的漏電流特性
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一般若電壓增大，則漏電流也增大。由于連接到接近開(kāi)關(guān)的負(fù)載中有電流通過(guò)，所以選擇負(fù)載時(shí)，請(qǐng)避免通過(guò)該電流動(dòng)作。
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在限位開(kāi)關(guān)、微型開(kāi)關(guān)的置換中應(yīng)注意。
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與漏電流特性相同，是為形成電氣性開(kāi)關(guān)的派生現(xiàn)象。
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例如在正常開(kāi)型中，在ON狀態(tài)下不會(huì)達(dá)到0V，在OFF狀態(tài)下不會(huì)與電源電壓相同，開(kāi)關(guān)上將殘留一定的電壓的現(xiàn)象。在限位開(kāi)關(guān)、微型開(kāi)關(guān)的置換中應(yīng)注意。
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